SK 海力士 2017 年将扩大投资,期望继续掌握市场竞争优势

2020-06-08 浏览量:151
SK 海力士 2017 年将扩大投资,期望继续掌握市场竞争优势

根据南韩媒体《每日经济》的报导指出,面对当前记忆体市场不论 DRAM,或是 NAND Flash 快闪记忆体供不应求的情况,南韩记忆体大厂 SK 海力士预计将在 2017 年下半年开始,提高 1x 奈米生产製程的 DRAM 生产比例。另外,还将持续增加 14 奈米製程的 NAND Flash 产量。目的在于以更具优势的成本竞争力,达到获利提升的目的。

报导中进一步表示,在当前行动通讯设备对 DRAM 及 NAND Flash 产品的容量持续增加,并且受惠于大数据的应用普及、人工智慧与机器学习的快速发展,也使得云端资料中心的伺服器需求增加,带动 DRAM、固态硬碟(SSD)需求提升的情况下,市场上对于记忆体的需求自 2016 年中以来热度持续不减,造成供应量的不足,并导致价格的上扬。

有鉴于市场上的需求,各家记忆体大厂纷纷提供投资金额,扩大产能,以争取市场商机。其中,SK 海力士在 2016 年的总投资规模达到 6.29 兆韩圜 (约新台币 1,709 亿元),而 2017 年投资金额预估更达到 9.6 兆韩圜(约新台币 2,589 亿元),略高于之前所宣布的 7 兆韩圜金额,并且计划在 2019 年 6 月底前,投资 2.2 兆韩圜(约新台币 598 亿元)用于南韩清州兴建 NAND Flash 快闪记忆体工厂。

另外,在产品的研发上,2016 年 SK 海力士总计斥资了佔营收 12.2%,金额达到 2.1 兆韩圜(约新台币 571 亿元)的研究经费。其成果,除了在 2017 年 1 月推出全球最高容量的超低功耗行动装置 DRAM – LPDDR4X 之外,也在 4 月份推出可做为人工智慧、虚拟实境、自动驾驶、以及 4K 以上高画质显示器用记忆体的超高速绘图 DRAM – Graphics DDR6。

至于,在 NAND Flash 快闪记忆体的产品上,2017 年 SK 海力士成功开发出 72 层堆叠,比上一代 48 层堆叠晶片运作速度提升 2 倍,读写性能也拉升 20% 的 3D NAND Flash 之后,已经在 7 月份开始进行量产。据了解,72 层堆叠比上一代 48 层堆叠的 NAND Flash 快闪记忆体生产效能提高 30%。而针对市场上对 SSD 硬碟的需求,SK 海力士也推出搭载自主研发控制器的移动装置用 eMMC 产品,以及 PCI 介面 SSD 固态硬碟,提昇 SK 海力士在 3D NAND Flash 快闪记忆体产品上的竞争力。

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